Submission: Code and schematic diagram

c51/Pin_Definition_Schematic.md

@@ -0,0 +1,57 @@
+       +5V (MCU 电源)
+          │
+          │
+┌─────────┴─────────┐
+│   STC89C52RC      │
+│                   │
+│  P1.2 ────────┐   │
+│  P1.3 ────────┼───┼─────┐
+│  P1.4 ────────┼───┼───┐ │
+│  P1.5 ────────┘   │   │ │
+│                   │   │ │
+│  P3.6 ────┬───┐   │   │ │
+│  P3.7 ────┘   │   │   │ │
+│               │   │   │ │
+│  XTAL1/2 ── 12M   │   │ │
+│  RST ────── 复位  │   │ │
+└───────────────────┘   │ │
+                        │ │
+        ┌───────────────┘ │
+        │                 │
+        │   ┌─────────────┘
+        │   │
+        ▼   ▼
+   ┌─────────────┐
+   │ 驱动/隔离级 │  (如 TLP250 光耦)
+   │             │
+   │  IN1 ◄──────┼── P1.2
+   │  IN2 ◄──────┼── P1.3
+   │  IN3 ◄──────┼── P1.4
+   │  IN4 ◄──────┼── P1.5
+   │             │
+   │  VCC(12V)   │
+   │  GND(隔离)  │
+   │  OUT1 ──────┼──────┐
+   │  OUT2 ──────┼────┐ │
+   │  OUT3 ──────┼──┐ │ │
+   │  OUT4 ──────┼┐ │ │ │
+   └─────────────┘│ │ │ │
+                  │ │ │ │
+                  ▼ ▼ ▼ ▼
+               ┌─────────┐
+               │ MOS 管  │ (N沟道，高压侧)
+               │ Q1~Q4   │
+               │         │
+               │ G 极    │
+               │ D 极 ───┼──────┬── 高压输出 (至负载/变压器)
+               │ S 极 ───┼──┐   │
+               └─────────┘  │   │
+                            │   │
+                           GND  │
+                          (高压)│
+                                │
+                              ┌─┴─┐
+                              │ R │ (负载/储能电容)
+                              └─┬─┘
+                                │
+                               GND

c51/main.c

@@ -0,0 +1,104 @@
+#include <reg52.h>
+
+// --- 引脚定义 ---
+sbit MOS1 = P1^2;
+sbit MOS2 = P1^3;
+sbit MOS3 = P1^4;
+sbit MOS4 = P1^5;
+
+sbit KEY_START = P3^6;  // 启动/停止
+sbit KEY_ADJ   = P3^7;  // 参数调节/复位
+
+// --- 全局变量 ---
+unsigned int pulse_width = 100;   // 脉宽计数值 (单位: 100us)
+unsigned int period      = 1000;  // 周期计数值 (单位: 100us)
+unsigned char run_flag   = 0;     // 运行标志
+unsigned char tick_1ms   = 0;     // 1ms 标志
+
+// --- 定时器0初始化 (1ms @ 12MHz) ---
+void Timer0_Init() {
+    TMOD &= 0xF0;
+    TMOD |= 0x01;        // 模式1，16位定时器
+    TH0 = 0xFC;          // 1ms 初值 (12MHz)
+    TL0 = 0x18;
+    ET0 = 1;
+    EA  = 1;
+    TR0 = 1;
+}
+
+// --- 毫秒级延时 (用于消抖) ---
+void DelayMs(unsigned int ms) {
+    unsigned int i, j;
+    for(i = ms; i > 0; i--)
+        for(j = 110; j > 0; j--);
+}
+
+// --- 定时器0中断服务 ---
+void Timer0_ISR() interrupt 1 {
+    TH0 = 0xFC;
+    TL0 = 0x18;
+    tick_1ms = 1;
+}
+
+// --- 按键扫描 (带消抖) ---
+void Key_Scan() {
+    static unsigned char key_lock = 0;
+    if (!key_lock && (KEY_START == 0)) {
+        DelayMs(10);
+        if (KEY_START == 0) {
+            run_flag = !run_flag;
+            key_lock = 1;
+            // 停止时立即关闭所有 MOS
+            if (!run_flag) { P1 &= 0xC3; } // 清零 P1.2~P1.5
+        }
+    } else if (KEY_START == 1) {
+        key_lock = 0;
+    }
+
+    // 简易参数调节：切换预设脉宽/频率 (可扩展)
+    if (!key_lock && (KEY_ADJ == 0)) {
+        DelayMs(10);
+        if (KEY_ADJ == 0) {
+            // 示例：切换脉宽
+            pulse_width = (pulse_width == 100) ? 500 : 100;
+            while(KEY_ADJ == 0); // 等待释放
+        }
+    }
+}
+
+// --- 产生脉冲 (阻塞式，适用于低频/中频) ---
+void Generate_Pulse() {
+    unsigned int cnt;
+    
+    // 1. 输出高电平 (开启 MOS)
+    P1 |= 0x3C; // 置位 P1.2~P1.5 (0x3C = 0011 1100)
+    
+    // 2. 维持脉宽
+    for(cnt = 0; cnt < pulse_width; cnt++) {
+        DelayMs(1); // 简单延时，实际可改用定时器精确控制
+    }
+    
+    // 3. 输出低电平 (关闭 MOS)
+    P1 &= 0xC3; // 清零 P1.2~P1.5
+    
+    // 4. 维持周期剩余时间
+    for(cnt = pulse_width; cnt < period; cnt++) {
+        DelayMs(1);
+    }
+}
+
+// --- 主函数 ---
+void main() {
+    P1 = 0xC3;      // 初始化 P1.2~P1.5 为低电平 (确保上电 MOS 关断)
+    Timer0_Init();
+    
+    while(1) {
+        Key_Scan();
+        
+        if (run_flag) {
+            Generate_Pulse();
+        } else {
+            P1 &= 0xC3; // 确保停止时输出低电平
+        }
+    }
+}